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MMBT5551规格
晶体管类型:NPN
电流集电极(Ic)(最大值): 600mA
电压集射极击穿(最大值):160V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA
电流:集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
功率最大值:350mW
频率跃迁:100MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
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