P5LED屏幕钢结构安装怎么防雷
P5LED屏幕所有的显示信息均可采用远程网络化控制，只需用鼠标点击操作即可轻松更换画面信息，从而实现城市和地区的广告展示网络集群化；雷雨天气常常给P5LED显示屏钢结构带来雷击隐患，那么P5LED屏幕钢结构安装怎么防雷呢？下面四维鑫光电为大家分享下P5全彩屏钢结构防雷措施。
(1)针对直击雷的防护，在P5全彩LED显示屏的支撑结构上安装避雷针，室内LED显示屏或者旁边有高大建筑物的LED显示屏，可以不用考虑安装避雷针。
(2)针对钢架结构的反击，将钢架结构与P5LED屏幕的外壳相连，做好等电位，并且做好接地，接地阻值通常要求小于10欧姆，阻值如果达不到要求，就要做附加的人工接地网。避雷器也要做好接地。
(3)针对电源线上感应的雷电流，在电源线上加装单相或者三相电源防雷器。相线的链接截面积不能小于10mm平方，连接地线截面积不能小于16mm平方。
(4)针对信号线上感应的雷电流，在信号线上加装信号防雷器。信号避雷器根据系统的信号接口而定，如果是网线就安装网络信号防雷器，串行接口就安装db9接口防雷器等。
P5LED屏幕钢结构安装怎么防雷产品特点：
1.P5LED显示屏显示间距小，观看距离更近；采用国星金线、铜支架的优质表贴灯管，水平、垂直视角达130°以上，混光均匀,色彩匹配度高，一致性好，显示画面更清晰真实，完全满足户外显示需求；
2.P5LED屏幕全新的面罩设计，使LED发出的光线几乎做到零反射，保证屏体的显示效果；
3.P5全彩屏底壳采用拟建筑工程力学的加强筋设计，增强产品的承重拉伸能力并提高产品的整体平整度；面罩经过精密计算的条纹密布设计，大大减少了因环境光线反射问题而对灯管发光造成的干扰，保证产品在各种环境光线下的对比度都是最优，使整屏的墨色更黑，对比度更好，更真实的还原图像的色彩。
4.P5全彩LED显示屏单元模组的箱体设计采用了高温喷涂技术，大大提高防锈功能；
5.P5LED屏幕高性能的“地效”方案电路板布局设计，能有效控制电压峰值过冲，最大限度的延长了灯管、芯片等元器件的寿命；采用常规通用的电源、信号接口方式，不受任何地域、环境及控制系统等因素的影响，能够轻松的进行各种型号显示屏的备库、连接及安装操作。
6.P5全彩屏模块安装面的平整度要求控制在正负 0.2mm ，整屏平整度好；
7.P5LED显示屏线路板采用波峰焊工艺，具有绿油隔氧层，防止了线路的潮湿、氧化，提高了使用寿命；
8.P5LED屏幕正面采用专用的导热灌封硅胶，背面加喷三防漆保护，双重防水保护，使得产品的耐候性更强，散热更快；独特的排水孔设计，减少因钢结构缺陷问题引起模组进水导致模组损坏的情况发生，提高模组的自身防护能力，进一步保障了显示屏的使用寿命。
9.相比户外直插全彩产品，户外表贴系列产品更轻巧，为组装、运输及后期的维护等方面都带来了方便 ，省时省力。
10.P5全彩LED显示屏由于设计结构为三合一，三颗芯片距离很近，在同一个支架碗杯中混光，而不是三颗分立的椭圆形LED，故红、绿、蓝混光效果好于直插椭圆LED屏，尤其适合于近距离观看。
11.P5LED屏幕由于三合一的设计结构，全彩SMD尺寸小，故发光面积小，黑区面积大，提高了LED显示屏的对比度。
LED大屏幕芯片技术的差异
芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED大屏幕厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
衬底材料和晶圆生长技术成关键
目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，这两种材料价格都非常昂贵，且都为国外大企业所垄断，而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。
但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。
无疑，从衬底角度看，主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战相对严重的中国来说，硅衬底更有成本和价格优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。
目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
国内外芯片技术差异大
在国外，欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破，飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中，在2011年，美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W;在2012年，欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。
反观中国内地，LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术，除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破，目前中国内地LED显示屏企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术，内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。
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