详细说明
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SI2302DS规格
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流连续漏极(Id)(25°C 时) :2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :650mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :10nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 230pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值):830mW(Tc)
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-236AB(SOT23)
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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