在真空烧结的实施过程中，基片金属化、焊料、清洗工艺、芯片的保护、芯片表面的压力设置、多芯片一次烧结的实现方式和烧结工艺参数等都是影响烧结质量的关键因素，因此必须得到充分重视，并采取相应的措施，加以严格的控制。
在功率混合集成电路中，功率芯片的组装往往在基片上进行，基片金属化所使用的材料的可焊性、附着力、表面粗糙度和镀层均匀性等对烧结质量的影响很大，如果存在以上问题，会导致焊料流淌不均匀、芯片的烧结面积不足、剪切强度偏小和表面起皮起泡等。
另外，基片的制作特别是厚膜基片的制作气氛为干净空气，而功率芯片烧结工艺若为高温的氢气或真空气氛，将可能使厚膜基片性能退化，如附着力下降，膜元件参数漂移，严重时将使成膜基片不合格。
因此，应根据基片金属化材料和芯片背面金属化材料的特性选择合适的焊料和烧结曲线。基片在投入使用前还必须按相应的要求进行评价考核，主要包括可焊性试验、附着力试验和键合强度的试验等，并且要进行首件试烧效果的考核，合格后方可投入批量生产。
