近日，由沈阳拓荆科技有限公司承担的国家重大科技专项项目“90-65纳米等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备的研发与产业化”在沈研制成功，并将在我国最大的芯片代工企业——中芯国际进行在线测试。目前，该设备已完成出厂前的工艺测试和可靠性测试，各项性能指标均达到设计要求。这是我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备，标志着我国在IC装备国产化方面取得了重大突破。
12英寸PECVD设备样机的顺利出厂，标志着我国在集成电路高端设备（PECVD）研究和制造领域技术达到了国际先进水平，使我国IC薄膜设备制造水平与国际IC制造业主流技术水平保持同步，完善了国内半导体重要装备的产业链，打破了国外产品的技术和市场垄断，使我国有能力在IC高端设备市场上参与国际竞争，对提升我国IC制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。
12英寸PECVD技术一直被欧美及日本等国家所垄断，技术难度大，单台价值高达300万美元，设备进口受到发达国家的严格限制。拥有完全自主知识产权的12英寸PECVD设备样机的成功研发，确立了沈阳在全国集成电路装备研发与制造领域同北京、上海三足鼎立的地位，使沈阳有机会创造一个具有国际水准的IC设备制造公司。这对调整辽沈地区的传统产业结构、创造新的经济增长点、推动辽沈地区IC装备制造产业化发展具有重大的现实意义。
