IHS24日公布,2014年英特尔全球半导体市占率达14.2%,卫冕市场霸主;三星电子以10.9%市场份额紧追在后,虎视眈眈英特尔的王者地位,双方差距仅剩3.3%。
韩国专家认为,三星若能在非内存领域加码购并、放胆投资,有望在四、五年内挤下英特尔,篡位为王。
三星市占大跃进,主因内存表现突出,三星在2013年率先开发出3DV-NAND技术,之后又抢先各家,第一个跨入20纳米DRAM制程。业界估计,三星半导体部门第一季营益将冲上3兆韩元。
IHS24日公布,2014年英特尔全球半导体市占率达14.2%,卫冕市场霸主;三星电子以10.9%市场份额紧追在后,虎视眈眈英特尔的王者地位,双方差距仅剩3.3%。
韩国专家认为,三星若能在非内存领域加码购并、放胆投资,有望在四、五年内挤下英特尔,篡位为王。
三星市占大跃进,主因内存表现突出,三星在2013年率先开发出3DV-NAND技术,之后又抢先各家,第一个跨入20纳米DRAM制程。业界估计,三星半导体部门第一季营益将冲上3兆韩元。