为得到均匀分布的超细铁素体晶粒，来自印度的研究人员在Ar3温度上下范围内和1050℃至700℃之间的变形温度区间，采用Gleeble3500，对材料进行了平面压应变试验。在1200℃均热后生成的、含有粗、细两种γ粒度的原始奥氏体（γ）晶粒组织也混合在其中。首先，研究人员以略高于奥氏体至铁素体（α）相变（Ar3）的温度对材料进行单道次大压变形，然后冷却至室温，材料中生成超细铁素体粒度（平均α-粒度为～2至3μm），最大粒度可延伸到～10至12μm。随即研究人员对材料进行水淬，阻止了超细铁素体晶粒的粗化，将最大粒度限制在6μm以内。尽管在慢速冷却的试样中（冷却速率1K/s），铁素体晶粒组织也看似均匀，但仔细观察可发现其中有粗（5至10μm）、细（<1至3μm）α晶粒相互交替的带状组织。研究人员根据初始γ-粒度的变化、γ的动态再结晶、动态应变感生的γ至α相变以及慢速冷却过程中的α动态再结晶与晶粒增长，解释了最终的α-粒度分布。通过电子背散射衍射分析可发现大比率（70～80%）的大角度晶界，取向差≥15度。与单道次大压变形相比，在Ae3与Ar3温度之间的多道次轻压更适合工业轧制，并同样具备生产大角度晶界超细铁素体晶粒的潜在可能。（芊芊）
