近年来，随着航空航天、大规模集成电路、军事电子器材等方面的不断发展，传统的电子封装材料已经满足不了这些领域的要求。而Si/Al复合材料作为新型电子封装材料所具有的特点已经逐步被人们所认识，不仅该材料具有比传统电子封装材料更为突出的综合热物理性能，即有较低的热膨胀系数，较高的热导率，而且该材料密度低，具有较好的机械加工性能及其环保性，因而，越来越受到人们的关注。目前Si/Al复合材料制备方法主要采用挤压铸造法、喷射沉积法和无压熔渗法，由于无压熔渗法在制备铝基复合材料上具有其优越性，且目前对该法制备的Si/Al复合材料组织及性能研究还较少，因此现有研究采用无压熔渗法制备Si/Al复合材料，研究了不同熔渗温度对Si/Al复合材料Si相形貌的影响，对Si相间基体合金的凝固组织进行了分析，并且测试了Si/Al复合材料热膨胀系数，热导率及抗弯强度。
在熔渗时间不变的情况下，随着熔渗温度升高，所制备的Si/Al复合材料中Si相从颗粒状到形成网络状。Si相间的Al－Si基体合金中不再是典型的初生相和共晶组织，而是出现了类似离异共晶的结晶现象，即初晶Si和共晶Si是在原存的Si相上结晶长大。XRD分析显示在所制备复合材料中只有Si相和Al相。随着熔渗温度的升高，Si/Al复合材料的热膨胀系数、热导率以及抗弯强度均出现下降。(欣然)
