瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室1月30日在《自然*纳米技术》发表研究论文称，用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。时隔半个多月后，在中国的A股市场上掀起了辉钼概念股的浪潮，成为A股震荡行情中的耀眼明星，万好万家 (600576：25.41，+2.31，↑10)、金钼股份 (601958：28.18，+2.03，↑7.76)、宏达股份 (600331：17.06，+0.88，↑5.44)等辉钼概念股在短短三个交易日里的累计涨幅均超10%。
辉钼是钼的二硫化物，是最重要的钼矿资源，目前主要应用于合金钢或润滑油添加剂中，同时因辉钼矿中还富含铼，因此它还是提炼铼的最主要矿物
但辉钼在电子领域尚未得到广泛的研究，洛桑联邦理工学院教授安德列斯·凯斯表示，辉钼是一种二维材料，非常薄，很容易用在纳米技术上，在制造微型晶体管、发光二极管(LEDs)、太阳能电池等方面有很大潜力。同硅相比，辉钼在电子应用领域相对比于半导体硅材料有三个明显的优势：一是辉钼体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料;二是辉钼比硅的能耗更低，在半导体中，辉钼因有“带隙”，可以用单层辉钼制造间带通道场效应晶体管，且在稳定状态下耗能比传统硅晶体管小10万倍;三是在光电子学和能量捕获应用领域，单层辉钼还能与富勒烯共同使用，形成优势互补。而辉钼与石墨烯相比，也因为有“带隙”，在电子导电性能以及能耗方面也比石墨烯更具有优势。
正是辉钼具有这些优势特性，因此辉钼在半导体领域的应用将比半导体硅材料和石墨烯更具有性能优势也更节能，因此也更具有经济价值。如果辉钼应用于半导体方面能够开发出低成本易加工的半导体材料，辉钼将会是下一代非常优良的半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景,将对电子计算机、太阳能利用和军事科技等领域的发展将产生极大的推进作用。
目前半导体硅材料在电子元器件、计算机硬件制造以及光伏太阳能发电等领域都得到了大量而又非常广泛的应用，目前全球范围内，半导体硅材料产业规模已超万亿元，尤其是多晶硅的应用。仅仅在中国，多晶硅的生产就已超亿元的产业规模。
如果辉钼在半导体应用方面可以部分甚至全部替代硅材料在半导体的应用，无疑，辉钼半导体材料的生产制造及加工也必将能够形成上千亿甚至过万亿元的产业规模。一旦辉钼的生产加工技术趋于成熟，必将带动下游辉钼加工行业的发展，进而带动对辉钼矿产及辉钼制成品的需求，那么这必将大大的提升辉钼的经济价值。而目前辉钼在工业方面的应用主要是用于金属合金生产以及机械润滑剂，其价值比较低，目前市场上的钼金属的市场价一般为300多元/公斤，相比于目前多晶硅市场价110多元/公斤(折合人民币约720多元/公斤)来说，辉钼在半导体应用领域的价值还有很大的提升空间。
辉钼矿是最重要的钼矿资源，中国钼矿储量非常丰富,钼金属储量仅次于美国居世界第2位。
